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GaN晶体薄膜的光致发光谱均存在一个非常宽且比较复杂的黄光发射带，从给出的谱线形状可判断，其包含有多个发光峰，这说明黄光发光带是由多个跃迁过程产生的。Pankove和Hutchby小组系统地研究了35种元素注入GaN薄膜后的低温 （78K）光致发光行为， 并发现金属元素的注入均存在较强的特征光发射；其余的元素在2.15eV附近有一较宽的发射峰，如C，Li，Be，Al和Si均存在较强的发射带，这些发射带被认为是同注入带来的缺陷有关。